삼성전자, HBM5E의 코어 다이에 ..AMAGING HBM4

삼성 반도체 주요 경영진 이례적 GTC 총출동
젠슨 황 “삼성 HBM4 어메이징…그록 슈퍼 패스트”
HBM5·HBM5E도 선단공정 적용…초격차 예고
삼성 파운드리 4나노로 엔비디아 추론 전용 칩 생산
한진만 파운드리 사장 “4나노 공정 결코 안 뒤져”

젠슨 황(가운데) 엔비디아 CEO(최고경영자)가 16일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 GTC 2026에서 삼성전자의 한진만(오른쪽) 파운드리사업부장 사장, 황상준 메모리개발담당 부사장과 기념사진을 찍고 있다. 한 사장이 들고 있는 그록 3 LPU 웨이퍼에는 황 CEO의 친필 서명과 함께 ‘GROQ SUPER FAST’라고 적혀있고, 황 부사장이 든 HBM4 웨이퍼에는 ‘AMAGING HBM4!’라고 쓰여있다. [삼성전자 제공]

[헤럴드경제(새너제이)=김현일 기자] 삼성전자가 8세대 고대역폭메모리(HBM5)부터 가장 밑단인 베이스 다이에 2나노(㎚) 공정을 적용해 개발 중인 것으로 확인됐다. 9세대 제품인 HBM5E의 코어 다이에는 1d(10나노급 7세대) 기반의 D램을 선제 적용할 방침이다.


아울러 엔비디아의 신규 인공지능(AI) 추론 전용 칩 ‘그록(Groq) 3 언어처리장치(LPU)’는 삼성 파운드리가 수주해 4나노 공정에서 생산 중이다. 삼성 파운드리 수장인 한진만 파운드리사업부장(사장)은 “저희 4나노 공정 기술이 결코 뒤지지 않는다”며 안정적인 공급에 대한 강한 자신감을 내비쳤다.


황상준 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 메모리개발담당(부사장)과 한진만 사장은 16일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 GTC 2026 삼성전자 부스에서 이 같이 밝혔다.


삼성전자 반도체 부문의 주요 경영진들이 엔비디아가 주관한 GTC 현장을 찾아 직접 제품을 설명하며 공개 행보에 나선 것은 이례적이다.


먼저 황 부사장은 차세대 HBM에 적용되는 공정 기술을 묻는 기자의 질문에 “HBM5의 코어 다이는 1c(10나노급 6세대)를 쓰지만 베이스 다이는 삼성 파운드리의 2나노 공정을 활용해 개발 중”이라고 말했다.


6세대 HBM4부터 도입한 1c 공정을 계속 유지하되 베이스 다이는 지금보다 앞선 2나노를 적용하겠다는 계획이다.

황상준(왼쪽부터) 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 메모리개발담당(부사장)과 제프 피셔 엔비디아 수석부사장, 윤하룡 삼성전자 DS부문 미주총괄 상품기획 부사장, 한진만 삼성전자 파운드리사업부장, 조상연 삼성전자 DS부문 미주총괄(부사장)이 16일(현지시간) 미국 캘리포니아 새너제이에서 열린 GTC 2025 현장에서 기념촬영하고 있다. 김현일 기자

앞서 삼성전자는 HBM4 코어 다이에 경쟁사보다 앞선 1c D램을 선제 적용하고, 베이스 다이는 삼성 파운드리 4나노 공정으로 만들었다. 이를 기반으로 업계 최고 성능을 안정적으로 달성하면서 지난달 HBM4를 가장 먼저 엔비디아에 공급했다.


황 부사장은 “HBM5E의 경우 코어 다이는 1d 나노 공정을 쓰고 베이스 다이는 삼성 파운드리 2나노를 쓸 것”이라며 “소자가 지속적으로 개선될 것이기 때문에 HBM5와 HBM5E에서도 선단 공정을 계속 적용해나갈 것”이라고 밝혔다.


한진만 사장도 2024년 이후 2년 만에 GTC를 찾아 삼성전자 부스에서 직접 자사 파운드리 기술력을 소개했다.


특히 이날 GTC 2026 기조연설에서 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 “삼성전자가 만들고 있다”고 언급해 단숨에 관심이 급증한 ‘그록 3 LPU’에 대한 설명에 주력했다.


한 사장은 “현재 평택사업장에서 4나노 파운드리 공정으로 그록 3 LPU를 생산하고 있다”며 “올해 저희가 생각한 것보다 많은 주문이 들어왔다”고 전했다.


그러면서 “삼성 HBM4의 베이스 다이도 4나노로 만들고 있어서 앞으로 4나노에 대한 수요가 많이 올라갈 것 같다”고 말했다.


엔비디아가 그록 3 LPU 생산을 삼성 파운드리에 맡긴 배경에 대해 한 사장은 “(엔비디아가 그록을 인수하기 전인) 2023년부터 우리와 그록은 서로 인게이지(연계) 돼 있었다”며 “우리 엔지니어들이 직접 달라붙어 설계도 해줬다”고 말했다.


그러면서 “엔비디아와 그록이 협력하게 되면서 다른 파운드리를 쓰지 않을까 고민했는데 저희 칩의 성능을 평가했을 것이고 그 결과 충분히 가능성이 있다고 본 거 같다”며 “저희 4나노 공정은 결코 뒤지지 않는다”고 강조했다.


그록 3 LPU의 실적 발생시점을 묻자 “3분기 말이나 4분기 초부터 양산을 시작한다”며 “시장 반응을 봐야겠지만 내년에는 본격적으로 (그록 3 LPU)에 대한 수요가 늘어날 것이라고 본다”고 답했다.


한편, 이날 한 사장과 황 부사장은 GTC 현장에서 황 CEO와 기념사진을 찍었다. 이 자리에서 황 CEO는 그록 3 LPU 웨이퍼에 자신의 친필 서명과 함께 ‘GROQ SUPER FAST’라고 적었고, HBM4 웨이퍼에는 ‘AMAGING HBM4!’라고 썼다. 둘다 삼성에서 생산한 제품들이다.